一篇Flash Memory关于HV Regulator实现方式的patent

2017-03-28 吴小喵的IC设计笔记
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无意中读到一篇HV SHUNT REGULATOR相关的patent,认真读下来觉得受益颇多,码下来用于以后查阅。

该专利的关键点:可控电阻分压比/电容分压比的实现。

high-voltage shunt regulator:

212~218二极管形式进行连接,消除体效应。

219~222是selectively diodeconnected。

电容分压网络240~244的作用:form a tracking capacitor divider to speed up the response time ofthe divider.电容分压比根据电阻分压比选择。

电容管可以通过串联多个对高压进行缓冲。
QQ截图20170324213320
SHORTP1=1,SHORTP2=0,SHORTP3=0,1/10分压。
QQ截图20170324213339
SHORTP1=0,SHORTP2=1,SHORTP3=0,1/9分压。
QQ截图20170324213332
SHORTP1=0,SHORTP2=0,SHORTP3=1,1/8分压。
QQ截图20170324213346
下面是运放和SHUNT电流方式:
QQ截图20170324213356
注意SHUNT结构的方式:

280: HV buffered capacitor for loopstability and to control the ramp rate of the high voltage supply signal VSUPHV。一是提供环路的补偿,二是控制高压的爬升速度,减小过冲。

278是低压管;

271是NX高压管,用来bufferthe high voltage for 278

270+273: PMOS管270和NH NMOS管273,用来bias oneterminal of the capacitor280 at an intermediate voltage so the capacitor 280can avoid breakdown. 这里280也可以是两个或多个电容的串联,缓解电容两端的压差。273的作用,还可以作为一个电阻看待,和电容一起构成串联RC补偿。

272+276: NH NMOS管276和NX NMOS管272,NH NMOS管275和反相器279用来短路270和273,应用在VSUPHV为低压时,提高环路的稳定性,这里的低压指的是4V~6V。


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